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EVAL_2EDB_HB_GAN

CoolGaN ™ GIT HEMT半桥评估板，带EiceDRIVER ™ 2EDB8259Y
应用笔记

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EVAL_2EDB_HB_GAN
EVAL_2EDB_HB_GAN
应用笔记

商品详情

  • Iout
    Depends on the topology and frequency
  • 供电电压
    0 V to 450 V
  • 子应用程序
    Industrial
  • 安装
    screw driver for cables connection
  • 尺寸
    76,7x 74,3 x 1,6
  • 拓扑结构
    Half Bridge
  • 接口
    7-pole position terminal block, 2-pole position terminal block with 5.08mm pitch
  • 目标应用程序
    Server and Telecom switch-mode power supplies (SMPS), EV Off-board chargers, Solar micro inverter, Industrial power supplies (SMPS, Residential UPS)
  • 系列
    High/Low Side Switch
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入类型
    DC
  • 输出电压
    0 V to 450 V
  • 频率 max
    2000 kHz
推荐的
OPN
EVAL2EDBHBGANTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EVAL_2EDB_HB_GaN 有助于使用 EiceDRIVER ™ 2EDB8259Y 测试英飞 CoolGaN ™ GIT HEMT。它支持将辅助电源配置为双极或单极、隔离或非隔离、带或不带自举，并适用于降压或升压模式、双凌脉冲测试、连续 PWM 操作以及高功率水平和 MHz 频率下的硬/软开关，补充了低频定制驱动器和电源电路设计。

特性

  • 搭载专用GaN驱动器IC的简单GaN半桥
  • 可配置辅助电源：单极与双极（可在正轨或负轨上调节）、隔离与非隔离（自举）
  • 低侧GaN上的分流器用于电流测量

产品优势

  • 易于设置和使用
  • 支持使用不同的配置测试（降压、升压、正向和反向双脉冲）
  • 评估GaN的高频低能力
  • 评估具有振铃、过冲和EMI的波形
  • 轻松实现数千瓦功率水平的评估
  • 通过电流分流器进行直通检查和Eoss测量

应用

Bill of Material

文档

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