在产
符合RoHS标准
无铅

1ED3120MU12H

5.5 A、5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器,具有独立输出,经 UL 1577 认证,8 V UVLO
每件.
有存货

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1ED3120MU12H
1ED3120MU12H
每件.

商品详情

  • VBS UVLO (On)
    10 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (On)
    3.1 V
  • VCC UVLO (Off)
    2.5 V
  • Turn Off Propagation Delay
    90 ns
  • Package
    PG-DSO-8
  • Turn On Propagation Delay
    90 ns
  • Voltage Class
    2300 V
  • Qualification
    Industrial
  • Input Vcc
    3.1 V to 17 V
  • Output Current (Sink)
    5.5 A
  • Output Current (Source)
    5.5 A
  • Channels
    1
  • Configuration
    High-side
  • Isolation Type
    Galvanic isolation - Functional
OPN
1ED3120MU12HXUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EiceDRIVER ™紧凑型单通道隔离栅极驱动器,具有 5.5 A 典型灌电流和拉电流峰值输出电流,采用 DSO-8 宽体封装,具有较大的爬电距离,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。 它属于 EiceDRIVER ™ Compact 系列,提供独立的吸电流和源电流输出、精确稳定的时序、主动关断和短路钳位

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2300 V 功能。失调电压有能力的
  • Galv。隔离无芯变压器
  • 5.5典型吸收器和源峰值输出
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 90 ns 传播延迟
  • 高 CMTI >200 kV/μs
  • 独立的源输出和吸输出
  • 短路钳位
  • DSO-8 300 mil 宽体封装
  • 带滞后的 UVLO 保护

图表

1ED312xMU12H.2
1ED312xMU12H.2
1ED312xMU12H.2 1ED312xMU12H.2 1ED312xMU12H.2
1ED312xMU12H.1 1ED312xMU12H.1 1ED312xMU12H.1

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