1ED3320MC12N
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

1ED3320MC12N

6 A、5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器,具有短路保护、有源米勒钳位和软关断功能,已通过 UL 1577 和 VDE 0884-11 认证

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1ED3320MC12N
1ED3320MC12N


商品详情

  • PD输出
    810 mW
  • RDSON_H(典型值)
    1.4 Ω
  • RDSON_L(典型值)
    0.89 Ω
  • RDSON_L(最大值)
    1.4 Ω
  • RthJA
    71.4 K/W
  • VBS UVLO (On)
    12 V
  • VBS UVLO (Off)
    11 V
  • 产品名称
    1ED3320MC12N
  • 关断传播延迟
    85 ns
  • 导通电阻 (RDSON_H)(最大值)
    2.35 Ω
  • 封装
    PG-DSO-16
  • 开通传播延迟
    85 ns
  • 拓扑结构
    High-side
  • 电压等级
    2300 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输出电流 (Sink)
    6 A
  • 输出电流 (Source)
    3.3 A
  • 通道
    1
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Reinforced

OPN
1ED3320MC12NXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EiceDRIVER ™增强型单通道隔离栅极驱动器,带 +3.3A / -6 对于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET,DSO-16 宽体封装中具有 8 毫米爬电距离的典型拉电流和灌电流峰值输出电流。 1ED3320 提供短路保护 (DESAT),实现单独的源/接收器输出,在单极或双极的宽电源电压范围内工作,并具有紧密的部件间传播延迟匹配。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • Galv.隔离无芯变压器
  • +3.3A/-6A典型吸收/源峰值输出。
  • 精确的 VCEsat 检测 (DESAT)
  • 软关断
  • 40 V 绝对最大值。输出电压
  • 85 ns 传播延迟
  • 高 CMTI >300 kV/μs
  • 独立的源极和漏极输出
  • 短路钳位
  • 有源米勒钳位

图表

1ED332xMC12N
1ED332xMC12N
1ED332xMC12N 1ED332xMC12N 1ED332xMC12N
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