2ED020I06-FI

650 V 半桥栅极驱动器 IC，具有电流隔离和关断功能
数据手册

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2ED020I06-FI
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商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    11.2 V
  • VBS UVLO (On)
    12.2 V
  • VCC UVLO (Off)
    11 V
  • VCC UVLO (On)
    12 V
  • 关断传播延迟
    85 ns
  • 开通传播延迟
    85 ns
  • 电压等级
    650 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 输入Vcc
    14 V to 18 V
  • 输出电流 (Sink)
    2.5 A
  • 输出电流 (Source)
    1.5 A
  • 通道数
    2
  • 配置
    Half Bridge
  • 隔离类型
    Galvanic isolation - Functional
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
EiceDRIVER ™增强型 - 高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 半桥驱动器 IC，采用无芯变压器技术和互锁高低侧参考输出。

特性

  • 650 V 无芯变压器驱动器
  • 轨到轨输出
  • 保护功能
  • 浮动高端驱动器
  • 欠压。双通道锁定
  • 3.3V 和 5 V TTL 兼容输入

应用

图表

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