现货，推荐
符合RoHS标准

5962R2321302VXC

英飞凌的抗辐射 1 Mb 非易失性铁电 RAM (F-RAM) 存储器可在极端环境下提供最高的可靠性和性能。
数据手册

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5962R2321302VXC
5962R2321302VXC
数据手册

商品详情

  • Density
    1 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -55 °C to 125 °C
  • Operating Voltage
    2 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Au
  • Interfaces
    Parallel
  • Family
    F-RAM
  • Organization (X x Y)
    128K x 8
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Military
  • Device weight
    1716.9 mg
受到推崇的
OPN
5962R2321302VXCBDSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 CG-FP-44
封装名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 CG-FP-44
封装名 CERAMIC-TSOP-44 (002-33895)
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的抗辐射 F-RAM 是业界功耗最低的非易失性存储器解决方案之一，具有抗单粒子翻转 (SEU) 和几乎无限的耐用性。英飞凌的即时非易失性写入技术和超过100年的数据保留时间为空间应用提供了最高的可靠性。

特性

  • 1 Mb 密度 (128K x 8)
  • 10 万亿次读/写循环耐久性
  • +85°C 下数据可保存 120 年
  • 极低的编程电压（2V）
  • 低工作电流（最大 20 mA）
  • 符合 DLAM QML-V 标准的 SMD 5962-23213（1 和 2Mb F-RAM）
  • 辐射性能：
  • TID：> 150 克拉德（硅）
  • SEL: > 96 MeV.cm2/mg [LET]@ 115°C
  • SEU：免疫
  • SEFI：5.35e-5 err/dev.day（待机模式）
  • SEFI：免疫（睡眠模式）

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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