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符合RoHS标准
无铅

AIMBG75R060M2H

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CoolSiC™汽车 MOSFET 750 V G2，采用 D2PAK-7 封装，60 mΩ
数据手册
封装
评估板

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AIMBG75R060M2H
AIMBG75R060M2H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    29 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    60 mΩ
  • RthJC max
    1.29 K/W
  • VDS max
    750 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK 7-pin
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMBG75R060M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolSiC™ MOSFET 750 V 利用了英飞凌 20 多年的 SiC 经验。它在性能、可靠性和稳健性方面具有优势，具有栅极驱动灵活性，可实现简化且高效的系统设计，从而实现最高效率和功率密度。创新的顶部冷却封装进一步增强了CoolSiC™ 750 V 的优势，提供了更高的密度、优化的功率回路设计以及更少的系统和组装成本。

特性

  • 高度稳健的 750 V 技术
  • 一流的 RDS(on) x Qfr
  • 卓越的 Ron x Qoss 和 Ron x QG
  • 低电平 Crss/Ciss 以及高 Vgsth
  • 100% 雪崩测试
  • 英飞凌芯片贴装技术
  • 尖端顶部冷却封装

产品优势

  • 硬开关效率卓越
  • 启用更高的开关频率
  • 更高的可靠性
  • 可承受超过 500 V 的总线电压
  • 抗寄生导通的稳健性
  • 单极驱动
  • 一流的散热性能

文档

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