现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMC120R011D21M2P1

释放英飞凌尖端碳化硅沟槽技术的潜能
数据手册

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AIMC120R011D21M2P1
AIMC120R011D21M2P1
数据手册

商品详情

  • Layout
    mid gate
  • Metallization (Frontside)
    Solder
  • Metallization (Backside)
    Sinter
  • RDS (on) (@25°C)
    11.1 mΩ
  • 电压等级
    1200 V
  • 芯片尺寸
    25 mm²
推荐的
OPN
AIMC120R011D21M2P1X7SA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 NA
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 NA
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们最新的 EDT3 系列包括 750 V 和 1200 V 电压等级，为中高端车辆中的主逆变器应用提供前所未有的输出电流。我们可根据特定应用需求，设计并制造定制化功率模块；依托这一能力，我们的碳化硅解决方案将重塑汽车产业格局，将产品性能、能效与可靠性推向全新的高度。

特性

  • 高效率和高功率密度
  • 最先进的沟道设计
  • 多种金属堆叠方案
  • 卓越的氧化物可靠性

产品优势

  • 非常适合汽车要求
  • 提供 750V 和 1200V 两种电压等级
  • 定制开发（按需）
  • 模块小型化带来的成本优势
  • 高可靠性和高质量

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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