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AUIRF1324WL
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已停产
符合RoHS标准

AUIRF1324WL

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24 V、N 沟道、1.3 mΩ（最大值）、汽车级 MOSFET、TO-262 WL、Gen 10.2
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封装
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AUIRF1324WL
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    240 A
  • QG (typ @10V)
    120 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    180 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.3 mΩ
  • 最高 VDS
    24 V
  • 最低 VGS(th)
    2 V
  • 最高 VGS(th)
    4 V
  • 封装
    TO262WL
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.2
  • 推出年份
    2016
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2027
  • 质量等级
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    4.85

OPN
AUIRF1324WL
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 PG-TO262-3
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE,TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO262-3
封装名 PG-TO262-3
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,TW
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特性

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 工作温度为 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩，最高可达 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 规定
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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