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AUIRL7736M2TR
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

AUIRL7736M2TR

停产
40 V、N 通道、最大 3 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET M4、Gen 10.7
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封装
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AUIRL7736M2TR
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商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    179 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • 最高 Ptot
    63 W
  • Qgd
    33 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    78 nC
  • QG (typ @10V)
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    MG-WDSON-7
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    1.39
OPN
AUIRL7736M2TR
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
AUIRL7736M2 是一款采用 DirectFET ®封装的汽车 HEXFET ®功率 MOSFET。它具有卓越的性能、紧凑的尺寸（SO-8 或 5X6mm PQFN）和低厚度（0.7mm）。该封装与现有布局兼容并允许双面冷却。非常适合车辆中的高频 DC-DC、电机驱动和重载应用。工作温度为 175°C，具有低导通电阻和高电流能力。

特性

  • 逻辑级别
  • 先进的工艺技术
  • 针对汽车应用进行了优化
  • 体积小巧，外形低调
  • 高功率密度
  • 低寄生参数
  • 双面冷却
  • 工作温度 175°C
  • 重复雪崩能力
  • 无铅、无 RoHS 指令、无卤素
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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