BDP1CG15NB-01
即将推出
符合RoHS标准

BDP1CG15NB-01

数据手册
封装

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BDP1CG15NB-01
BDP1CG15NB-01
数据手册

商品详情

  • 最高 TID
    30 Krad(Si)
  • VBS UVLO (On)
    8 V
  • VBS UVLO (Off)
    7 V
  • 供电电压 范围
    8 V 至 20 V
  • 开关器件类型
    MOSFET (SJ, NL)
  • 电压等级
    20 V
  • 认证标准
    JEDEC
  • 输出电流 (Source)
    4 A
  • 输出电流 (Sink)
    8 A
  • 通道数
    1
  • 配置
    Low-side
  • 隔离
    non-isolated
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
单通道低边晶体管耐辐射栅极驱动器

特性

  • 灌电流驱动能力 8 A
  • 传播延迟 20 ns
  • 欠压锁定 (UVLO) 阈值：开启 8 V / 关断 7 V
  • 单例子效应 (SEE) 耐受能力最高 LET = 45 MeVcm2/mg
  • 总剂量 (TID) 耐受能力最高 30 kRad(Si)
  • 通过 JEDEC 标准认证

产品优势

  • 开关速度快
  • 低阻抗
  • 轨到轨输出
  • 大电流驱动能力
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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