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BFP183W
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符合RoHS标准
无铅

BFP183W

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封装
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BFP183W
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商品详情

  • fT
    8 GHz
  • Gmax
    22 dB @900 MHz
  • 最高 IC
    65 mA
  • NFmin
    0.90 dB @900 MHz
  • OIP3
    26.5 dBm
  • OP1dB
    8.5 dBm
  • Ptot
    450 mW
  • 最高 VCEO
    12 V
  • 封装
    SOT343

OPN
BFP183WH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 N/A
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOT343
封装名 -
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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NPN 硅射频晶体管，用于集电极电流为 2 mA 至 30 mA 的低噪声、高增益宽带放大器

特性

  • 适用于低噪声、高增益宽带放大器，集电极电流为 2 mA 至 30 mA
  • fT = 8 GHz，F = 0.9 dB @ 900 MHz
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

应用

文档

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