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BFY193F(ES)
商品详情
-
fT8 GHz
-
最高 IC80 mA
-
最高 Ptot580 mW
-
最高 RthJS165 K/W
-
最高 VCEO12 V
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|
OPN
|
|
| 产品状态 | active and preferred |
| 英飞凌封装名称 | -- |
| 封装名 | N/A |
| 封装尺寸 | 1 |
| 封装类型 | WAFER UNSAWN |
| 湿度 | N/A |
| 防潮封装 | DRY |
| 无铅 | No |
| 无卤素 | No |
| 符合RoHS标准 | Yes |
|
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | -- |
| 封装名 | - |
| 封装尺寸 | 1 |
| 封装类型 | WAFER UNSAWN |
| 湿度 | - |
| 防潮封装 | DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
特性
- 适用于高达 2GHz 的低噪声、高增益放大器
- 适用于线性宽带放大器
- 指定 1/f 噪声
- 密封微波包装
- fT= 8GHz
F = 1.75 dB（2 GHz时）
应用
文档
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