BFY650B-11 (P)
不建议用于新设计
符合RoHS标准

BFY650B-11 (P)

数据手册

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BFY650B-11 (P)
BFY650B-11 (P)
数据手册

商品详情

  • fT
    40 GHz
  • 最高 IC
    150 mA
  • 最高 Ptot
    600 mW
  • 最高 RthJS
    150 K/W
  • 最高 VCEO
    4 V
  • 封装
    Micro-X
OPN
BFY650B11PB4SA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 1
封装类型 VACUUM RELEASED TRAY
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 1
封装类型 VACUUM RELEASED TRAY
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
HiRel微波晶体管

特性

  • HiRel 分立器件和微波半导体
  • 适用于高功率放大器
  • 非常适合低相位噪声振荡器
  • 最大可用增益：Gma = 19 dB，频率为 1.8 GHz
  • 噪声系数 F = 0.9 dB，频率为 1.8 GHz
  • 密封微波封装
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