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BFY650B-12(ES)
商品详情
-
fT40 GHz
-
最高 IC150 mA
-
最高 Ptot600 mW
-
最高 RthJS165 K/W
-
最高 VCEO4 V
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|
OPN
|
|
| 产品状态 | active and preferred |
| 英飞凌封装名称 | -- |
| 封装名 | N/A |
| 封装尺寸 | 1 |
| 封装类型 | WAFER UNSAWN |
| 湿度 | N/A |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | No |
| 无卤素 | No |
| 符合RoHS标准 | Yes |
|
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | -- |
| 封装名 | - |
| 封装尺寸 | 1 |
| 封装类型 | WAFER UNSAWN |
| 湿度 | - |
| 防潮封装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
特性
- HiRel 分立器件和微波半导体
- 适用于高功率放大器
- 非常适合低相位噪声振荡器
- 最大可用增益：Gma = 19 dB @ 1.8 GHz
- 噪声系数 F = 0.9 dB（1.8 GHz）
- 密封微波包装
应用
文档
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