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BGA9V1MN9
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BGA9V1MN9

停产
数据手册
封装

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BGA9V1MN9
BGA9V1MN9
数据手册


商品详情

  • Frequency
    3300 - 4200 MHz
  • ICC
    5.8 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • IP1dB
    -18 dBm
  • NF
    0.75 dB
  • P-1dB
    -18 dBm
  • V 操作
    1.1 - 2.0 V
  • 增益
    21 dB
  • 尺寸
    1.1 x 1.1 mm²

OPN
BGA9V1MN9E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 N/A
封装尺寸 12000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSNP-9
封装名 -
封装尺寸 12000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
BGA9V1MN9 是一款用于 LTE 和 5G 的低噪声放大器，覆盖 3.3 GHz 至 4.2 GHz 的宽频率范围。在第 7 章描述的应用配置中，LNA 以 5.8 mA 的电流消耗提供高达 21.0 dB 的增益和 0.75 dB 的噪声系数。利用增益步进功能可以调整增益和线性度，以增加系统动态范围并适应不断变化的干扰情况。 BGA9V1MN9 支持 2 µA 的超低旁路电流和 1.2 V 的工作电压，以降低功耗。其工作电源电压范围为 1.1 V 至 2.0 V，且不随温度变化。紧凑的 9 针 TSNP-9 封装尺寸为 1.1 x 1.1 毫米，有助于节省 PCB 上的空间。

特性

  • 功率增益：21.0 dB
  • 低噪声系数：0.75 dB
  • 低电流消耗：5.8 mA
  • 频率范围：3.3 至 4.2 GHz
  • 电源电压：1.1 至 2.0 V
  • 集成 MIPI RFFE 接口，工作电压范围：1.65 至 1.95 V
  • 软件可编程 MIPI RFFE USID
  • USID 选择引脚
  • 小尺寸：1.1 mm x 1.1 mm
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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