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无铅

BGAU1A10

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封装

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BGAU1A10
BGAU1A10
数据手册

商品详情

  • ICC
    5 mA
  • IIP3
    -8 dBm
  • IP1dB
    -18 dBm
  • NF
    1.7 dB
  • P-1dB (in)
    -18 dBm
  • VCC operating
    1.6 - 1.9 V
  • Gain @ f
    20.5 dB
  • Size
    1.1 x 1.5 mm²
  • Frequency
    5150 - 5925 MHz
OPN
BGAU1A10E6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
ATSLP-10-3
封装名 N/A
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
ATSLP-10-3
封装名 -
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
使用高增益LNA可以显著提高LTE数据速率。集成的增益控制和旁路功能增加了整体系统动态范围，并提高了前端的灵活性。在高增益模式下，BGAU1A10 提供最佳噪声系数，以确保即使在 LTE 小区边缘也能实现高数据速率。靠近基站时，可以激活旁路模式以降低电流消耗。由于采用了 MIPI 控制接口，控制线被减少到最低限度。

特性

  • 工作频率：5.15 - 5.925 GHz
  • 插入功率增益：20.5 dB
  • 增益动态范围：27 dB
  • 低噪声系数：1.6 dB
  • 低电流消耗：5.0 mA
  • 多态控制：增益和旁路模式
  • 小型 ATSLP 无引线封装
 

文档

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