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无铅

BGS14PN10

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有存货

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BGS14PN10
BGS14PN10
每件.
数据手册

商品详情

  • Pmax max
    40 dBm
  • Supply Voltage
    1.8 - 3.6 V
  • Switch Type
    SP4T
  • Control Interface
    GPIO
  • Insertion Loss (@1GHz)
    0.18 dB
  • Isolation (@1GHz)
    41 dB
  • Frequency Range
    0.5 - 6.0 GHz
受到推崇的
OPN
BGS14PN10E6327XTSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
TSNP-10-1
封装名 N/A
包装尺寸 7500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSNP-10-1
封装名 -
包装尺寸 7500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGS14PN10 是单刀四掷 (SP4T) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由两个简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致 所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。 BGS14PN10 为 UL (B1 + B3)、(B2 + B4)、DL-CA (B4 + B12) 和 SV-LTE (B5 + B13) 启用关键频段组合。该设备处理非常 高达 38 dBm 的发射信号电平，同时损耗较低，以节省电池电量。超高线性度器件对 系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS14PN10 代表 在所有频率上均具有一流的 ISO 和 IL 性能。

特性

  • 最高射频功率：38 dBm
  • 两个超低损耗端口（RF1 和 RF3）：
  • 0.19 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm
  • 0.29 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm
  • 0.51 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm
  • 1.20 dB @ f=3.8 GHz，PIN=33dBm
  • 1.90 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm
  • 两个低损耗端口（RF2 和 RF4）：
  • 0.32 dB @ f=0.9
  • GHz，PIN=38dBm 0.40 dB @ f=1.9 GHz， PIN=38dBm
  • 0.64 dB @ f=2.7 GHz, PIN=33dBm
  • 1.19 dB @ f=3.8 GHz, PIN=33dBm
  • 1.78 dB @ f=5.8 GHz, PIN=33dBm
  • 如果未在 RF
  • 端口上施加外部直流电，则无需直流去耦元件
  • 高 ESD 稳健性
  • 低谐波产生
  • 高线性度
  • RF1/RF3 72 dBm IIP3
  • RF2/RF4 74 dBm IIP3
  • 无需电源阻断
  • 电源电压范围：1.8 至 3.6V
  • 电源电压范围内无插入损耗变化
  • 电源电压范围内线性度无变化范围
  • 0.5 至 6.0 GHz
  • 覆盖范围 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
  • 400 µm 焊盘间距
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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