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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BSD314SPE

停产
P沟道增强模式场效应晶体管 (FET),-100 V,SOT-223

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BSD314SPE
BSD314SPE

商品详情

  • Ciss
    221 pF
  • Coss
    126 pF
  • ID (@25°C) max
    1.5 A
  • IDpuls max
    -6.1 A
  • Ptot max
    0.5 W
  • QG (typ @10V)
    -2.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    140 mΩ
  • Rth
    250 K/W
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • Package
    SOT-363
  • Operating Temperature max
    150 °C
  • Operating Temperature min
    -55 °C
  • Polarity
    P
  • Special Features
    Small Signal
OPN
BSD314SPEH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SOT-363
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SOT-363
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准,不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

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