BSO303SP H

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。
数据手册

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BSO303SP H
BSO303SP H
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商品详情

  • Ciss
    1750 pF
  • Coss
    470 pF
  • 最高 ID
    -9.1 A
  • 最高 IDpuls
    -36 A
  • 最高 Ptot
    1.56 W
  • QG
    -40 nC
  • 最高 RDS (on)
    21 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    31 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    31 mΩ
  • Rth
    110 K/W
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2 V
  • 封装
    SO-8
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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