BSP179

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数据手册

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商品详情

  • Ciss
    102 pF
  • Coss
    10 pF
  • 最高 ID
    0.21 A
  • 最高 IDpuls
    0.83 A
  • 最高 Ptot
    1.8 W
  • QG
    4.5 nC
  • 最高 RDS (on)
    18000 mΩ
  • 最高 VDS
    400 V
  • VGS(th) 范围
    -2.1 V 至 -1 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-223
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 极性
    N
  • 模式
    Depletion
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌是全球少数提供耗尽型MOSFET的半导体制造商之一，应用领域包括电源启动电源、过压保护、浪涌电流限制器、离线电压参考。通过一个单一器件，可以实现一个简单的电流调节器。所有产品均适用于汽车应用。为了满足特殊要求，耗尽型 MOSFET 可在卷轴上配备 V GS(th) 指示器。

特性

  • 耗尽模式
  • dv/dt 额定值
  • 卷轴上配有 V GS(th) 指示器
  • 无卤素；无铅镀铅；符合 RoHS 标准
  • 符合 AEC Q101 标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区