现货，推荐
符合RoHS标准

BSZ009NE2LS5

采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装的同类最佳 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET，可进一步提高性能
数据手册
封装
每件.
有存货

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BSZ009NE2LS5
BSZ009NE2LS5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    223 A
  • ID (@25°C) max
    223 A
  • IDpuls max
    892 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    92 nC
  • QG (typ @4.5V)
    52 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.2 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    ORing/Efuse
  • Budgetary Price €/1k
    0.58
受到推崇的
OPN
BSZ009NE2LS5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌扩展了其高性能 MOSFET 产品组合，推出采用小型 PQFN 3.3x3x3 毫米封装的 BSZ009NE2LS5 OptiMOS ™ 5 25V 功率 MOSFET。该器件在 10V 时提供业界最低的 RDS(on) 0.9mΩ，主要针对 Or-ing 和负载开关应用。

应用

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