BSZ0909ND

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BSZ0909ND
BSZ0909ND

商品详情

  • ID (@25°C) max
    20 A
  • IDpuls max
    40 A
  • Ptot max
    17 W
  • Qgd
    0.5 nC
  • QG (typ @10V)
    3.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    1.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    18 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    25 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    25 mΩ
  • RthJA max
    180 K/W
  • RthJC max
    7.5 K/W
  • Rth
    7.5 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    Symmetrical Dual 3x3
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
  • Mode
    Enhancement
  • Budgetary Price €/1k
    0.4
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
所采用的 OptiMOS ™技术与 PQFN 3x3 封装相结合,为对空间要求严格的 DC-DC 应用提供了优化的解决方案。BSZ0909ND 非常适合无线充电或驾驶(例如多旋翼飞行器(Multicopter)架构,设计人员的目标是简化布局并显著节省空间,同时不影响效率。

特性

  • 超低 Q g
  • 小型 3.0x3.0mm² 对称半桥封装外形
  • 裸露焊盘
  • 逻辑电平(额定电压 4.5V)
  • 符合 RoHS 标准的 6/6(全无铅)

产品优势

  • 低开关损耗
  • 高开关频率操作
  • 最低寄生效应
  • 低工作温度
  • 低栅极驱动损耗
  • RoHS 6/6 无铅产品

应用

文档

设计资源

开发者社区

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