BUP03CP010C-02
现货，推荐
符合RoHS标准

BUP03CP010C-02

数据手册
封装

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BUP03CP010C-02
BUP03CP010C-02
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -100 A
  • QG (typ @10V)
    61 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    10 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    -30 V
  • 最高 VBRDSS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -5.5 V
  • 封装
    SuperSO8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 技术
    OptiMOS™
  • 极性
    P
  • 质量等级
    JEDEC

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
Radiation tolerant, -30 V, -100 A, P-channel MOSFET, SuperSO8, 50 krad(Si) TID

特性

  • Low RDS(on)
  • SEE Hardened
  • TID tolerant up to 50 krad (Si)
  • P-channel
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区