现货，推荐
符合RoHS标准

BUP06CP038F-01

耐辐射，-60V，-35A，P沟道MOSFET，PG-TO252，30krad(Si) TID
数据手册
封装

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BUP06CP038F-01
BUP06CP038F-01
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    2
  • ID (@25°C) max
    -35 A
  • Ptot
    125 W
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    38 mΩ
  • TID max
    30 Krad(Si)
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -2 V to -5 V
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OPTIMOS(TM)
  • 极性
    P
  • 认证标准
    AEC-Q101
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 针对低地球轨道任务和星座进行了优化
  • 耐辐射（LET 为 46 MeV∙cm²/mg）
  • 符合 AEC-Q101 标准，适用于太空应用

产品优势

  • 负载开关
  • 电源调节装置
  • 配电单元
  • DC-DC 转换器

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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