现货，推荐
符合RoHS标准

BUP06CP045F-02

数据手册
封装

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BUP06CP045F-02
BUP06CP045F-02
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C)
    -35 A
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    45 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VBRDSS
    -60 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -6 V
  • 封装
    DPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™
  • 极性
    P
  • 认证标准
    AEC-Q101
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
Radiation tolerant, -60 V, -35 A, P-channel MOSFET, PG-TO252, 50 krad(Si) TID

特性

  • Low RDS(on)
  • SEE Hardened
  • TID tolerant up to 50 krad (Si)
  • P-channel

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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