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CY14B104NA-ZS25XE
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符合RoHS标准

CY14B104NA-ZS25XE

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CY14B104NA-ZS25XE
CY14B104NA-ZS25XE
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    25 ns

OPN
CY14B104NA-ZS25XE
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 270
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 270
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY14B104NA-ZS25XE是一款 4 Mbit (256K × 16) 汽车 nvSRAM，将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性单元相结合。 它的运行电压为 3.0V 至 3.6V，温度范围为 –40°C 至 +125°C，具有 25 ns 访问时间、无限 SRAM 读/写以及 100K次非易失性STORE操作 (Automotive-E)。 数据在掉电时使用外部 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器自动存储，并在上电时RECALL。

特性

  • 4 Mbit nvSRAM (256K × 16)
  • 16 位公路，包含 BHE/BLE 字节
  • 25 ns/45 ns 异步访问/访问
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB 引脚或软件 seq 存储
  • 召回乘方向上或软件序列
  • 所有信元的并行存储/调用
  • VCAP 电容器 61–180 µF
  • 存储/调用期间 HSB 忙低电平
  • 存储/调用期间 SRAM 读写操作被阻塞
  • 无限SRAM读/写/调用
  • 最多 1,000K 次非易失性存储操作

产品优势

  • SRAM 速度快，支持非易失性备份
  • AutoStore 在掉电时保存数据
  • HSB/软件控制增加了灵活性
  • 上电 RECALL 快速恢复状态
  • 并行STORE/RECALL减少停机时间
  • 字节使能减少总线活动
  • 明确的VCAP尺寸便于设计集成
  • HSB 忙信号避免数据损坏
  • 在 NVM 更新期间阻止读/写
  • 无限次SRAM循环避免磨损
  • 高 STORE 耐久性降低服务需求
  • 长数据保持时间确保断电后数据仍能保存

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区