现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

D711N65T

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D711N65T
D711N65T

商品详情

  • I(FSM) max
    10500 A
  • IFAVM/TC [A/°C] (@180° el sin)
    790/100
  • IFAVM/Tc
    790/100 (180 ° el sin)
  • IFSM [A] (@10ms, Tvj max)
    10500
  • rT [mΩ] (@Tvj max) max
    0.87
  • RthJC [K/kW] (@180° el sin) max
    31.5
  • Tvj [°C] max
    160
  • VF/IF [V/kA] (@Tvj max)
    1.77/1.2
  • VRRM [V]
    6500
  • VRRM max
    6500 V
  • VT0 [V] (@Tvj max) max
    0.84
  • ∫I2dt [A²s · 103] (@10ms, Tvj max)
    550
  • Clamping force [kn]
    10 to 16
  • Housing
    Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic
  • Configuration
    Rectifier Diodes
OPN
D711N65TXPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 BG-D5826K-1
封装名 N/A
包装尺寸 6
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 BG-D5826K-1
封装名 -
包装尺寸 6
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
D711N 整流二极管圆盘组装在高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳中,直径为 58 毫米,高度为 26 毫米。

特性

  • 完全阻断能力 50/60 Hz*
  • 高直流阻断稳定性
  • 高浪涌电流能力
  • 密封陶瓷封装
  • 高外壳不断裂电流
  • *适用于较宽的温度范围

应用

文档

设计资源

开发者社区

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