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DD1200S45KL3_B5

4500 V、1200 A 二极管 IGBT 模块
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DD1200S45KL3_B5
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    1200 A
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.5 V
  • Housing
    IHV
  • Dimensions (width)
    140 mm
  • Dimensions (length)
    130 mm
  • Technology
    Diode
  • Features
    10.4kV isolation
  • Voltage Class max
    4500 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    Diodes
受到推崇的
OPN
DD1200S45KL3B5NOSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 A-IHV130
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 A-IHV130
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IHV 4500 V , 1200 A 130 mm 二极管模块，带 EC3 - 二极管，预定与 IGBT 产品结合使用（例如FZ1200R45KL3_B5 或 FZ800R45KL3_B5）。

特性

  • 高直流稳定性
  • 高浪涌电流能力
  • 扩展存储温度
  • * 低至 T(stg) = -55°C
  • CTI > 600 的封装
  • 封装隔离 10.4 kV AC 1min
  • 高爬电距离和电气间隙
  • AlSiC 底板搭配 AlN 基板
  • 可提高热循环
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
  • 双二极管

产品优势

  • 标准化外壳：130x140x48 毫米
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 抗过载和故障能力强
  • 低 FIT 率

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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