DD800S17H4_B2
现货，推荐
符合RoHS标准

DD800S17H4_B2

1700 V、800 A 二极管 IGBT 模块
数据手册

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DD800S17H4_B2
DD800S17H4_B2
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • 最高 IC
    800 A
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    IHM B
  • 尺寸 (length)
    130 mm
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 技术
    Diode
  • 拓扑结构
    Diodes
  • 特性
    200% PC
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 质量等级
    Industrial, Traction

推荐的
OPN
DD800S17H4B2BOSA2
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-IHMB130
封装名 N/A
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-IHMB130
封装名 -
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
MY
1700 V IHMB 130mm 二极管模块，配有 AlSiC 底板和发射极控制 4 - 二极管 - 牵引和工业应用的最佳解决方案。注定要与IGBT4产品相结合。

特性

  • Tvj op = 150°C
  • 坚固的模块结构
  • 扩大的再生二极管。操作
  • UL 认证
  • 高可靠性

应用

轨交
文档

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