FF150R12KS4
在产
符合RoHS标准
无铅

FF150R12KS4

1200 V、150 A 双 IGBT 模块

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FF150R12KS4
FF150R12KS4


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    150 A
  • 最高 IC
    150 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    3.2 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT2 Fast
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 特性
    Fast short tail IGBT chip
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF150R12KS4HOSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
MY
62 毫米 C 系列 1200 V、150 A 双 IGBT 模块，配备快速 IGBT2，可实现高频开关。还可提供 M5 电源端子。

特性

  • 高短路能力
  • 自限制短路电流
  • 低开关损耗
  • 无与伦比的稳健性
  • 正温度下的 VCEsat。系数。
  • CTI > 400 的封装
  • 高爬电距离和电气间隙
  • 隔离底板
  • 铜底板
  • 标准外壳
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