FF150R12KT3G
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

FF150R12KT3G

1200 V、150 A 半桥 IGBT 模块

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FF150R12KT3G
FF150R12KT3G


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    150 A
  • 最高 IC
    150 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT3 - T3
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

OPN
FF150R12KT3GHOSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
AT,MY

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
AT,MY
62 mm C 系列 1200 V、150 A 半桥切换 IGBT 模块，具有快速TRENCHSTOP™ IGBT3 和发射极控制的高效率二极管。

特性

  • 经常光顾。控制。逆变器驱动器
  • UL/CSA certif.符合 UL1557 E83336 标准
  • Tvj op 最高可达 125 °C（最高 150 °C）
  • 优化的开关特性
  • 封装具有更高的电流容量。
  • 电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令合规
文档

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