FZ1200R12HE4
在产
符合RoHS标准
无铅

FZ1200R12HE4

1200 V、1200 A 单开关 IGBT 模块

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FZ1200R12HE4
FZ1200R12HE4


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • 最高 IC
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    IHM B
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 尺寸 (length)
    130 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 拓扑结构
    Single switch
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FZ1200R12HE4HOSA2
产品状态 active
英飞凌封装名称 AG-IHMB130
封装名 N/A
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-IHMB130
封装名 -
封装尺寸 2
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
DE,MY
1200 V IHM B 130mm 单开关 IGBT 模块，带有沟槽/场终止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管 - 适合您行业应用的最佳解决方案。也可提供热界面材料。

特性

  • 延长操作温度。Tvj op
  • 低开关损耗
  • 封装 CTI > 400
  • UL 认证

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区