现货，推荐
符合RoHS标准

IAUTN12S5N018T

120 V、N 沟道、最大值 1.8 mΩ、汽车 MOSFET、TOLT (10x15)、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUTN12S5N018T
IAUTN12S5N018T
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    300 A
  • QG (typ @10V)
    111 nC
  • QG (typ @10V) max
    145 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.8 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Launch year
    2023
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
IAUTN12S5N018TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IAUTN12S5N018T 是一款 1.8 mΩ、顶部冷却的 120 V MOSFET，采用 TOLT 封装和英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。与其他设备不同，该设备专为 HV-LV DCDC 转换器而设计。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道–增强模式–正常水平
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 非常适合 HV-LV DCDC 转换器
  • 另有 TOLL 和 TOLG 套餐可供选择

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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