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已停产
符合RoHS标准
无铅

IDH05G65C5

停产
采用 real2pin 封装的 600 V 碳化硅肖特基二极管
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封装
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IDH05G65C5
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数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    46 A
  • IF max
    5 A
  • IR
    0.3 µA
  • Ptot max
    55 W
  • QC
    8 nC
  • RthJC
    1.7 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    TO220
  • Qualification
    Industrial
OPN
IDH05G65C5XKSA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-2
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-2
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌 CoolSiC™肖特基二极管 650 V 产品，利用先进的碳化硅生产设施、良好的业绩记录、最高的质量和非常精细的产品组合，提供高性价比。 CoolSiC ™肖特基二极管 G6 的最新产品系列通过降低正向电压提高了系统效率，是对英飞凌 600 V 和 650 V CoolMOS ™ 7 超结 MOSFET 系列的补充。

特性

  • 提高品质因数 (Q c x V f)
  • 无反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 与温度无关的开关行为
  • 高工作温度 (T j 最高 175°C)
  • 提高浪涌能力
  • 无铅镀铅

产品优势

  • 更高的过压安全裕度，补充 CoolMOS ™功能
  • 在所有负载条件下提高效率
  • 与硅二极管替代品相比，效率更高
  • 与更快的硅二极管反向恢复波形相比，EMI 更低
  • 高度稳定的开关性能
  • 降低冷却要求
  • 降低热失控风险
  • 符合 RoHS 标准
  • 非常高质量且具有大批量生产能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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