IDK09G65C5

采用 real2pin 封装的 600 V 碳化硅肖特基二极管
数据手册
评估板

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IDK09G65C5
IDK09G65C5
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商品详情

  • I(FSM) max
    75 A
  • IF max
    9 A
  • IR
    0.45 µA
  • Ptot max
    82 W
  • QC
    14 nC
  • RthJC
    1.1 K/W
  • VF
    1.5 V
  • Package
    D2PAK
  • Qualification
    Industrial
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌 CoolSiC™肖特基二极管 650 V 产品，利用先进的碳化硅生产设施、良好的业绩记录、最高的质量和非常精细的产品组合，提供高性价比。 CoolSiC ™肖特基二极管 G6 的最新产品系列通过降低正向电压提高了系统效率，是对英飞凌 600 V 和 650 V CoolMOS ™ 7 超结 MOSFET 系列的补充。

特性

  • 提高品质因数 (Q c x V f)
  • 无反向恢复电荷
  • 软开关反向恢复波形
  • 与温度无关的开关行为
  • 高工作温度 (T j 最高 175°C)
  • 提高浪涌能力
  • 无铅镀铅

产品优势

  • 更高的过压安全裕度，补充 CoolMOS ™功能
  • 在所有负载条件下提高效率
  • 与硅二极管替代品相比，效率更高
  • 与更快的硅二极管反向恢复波形相比，EMI 更低
  • 高度稳定的开关性能
  • 降低冷却要求
  • 降低热失控风险
  • 符合 RoHS 标准
  • 非常高质量且具有大批量生产能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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