即将推出
符合RoHS标准
无铅

IGC090S20S1

CoolGaN ™晶体管 200 V G3，采用 PQFN 3x5、6.7 mΩ
数据手册
封装

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IGC090S20S1
IGC090S20S1
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    46 A
  • IDpuls (@25°C) max
    190 A
  • QG
    8.5 nC
  • RDS (on) (typ)
    6.7 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • 产品名称
    IGC090S20S1
  • 封装
    PQFN
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    CoolGaN™ Transistor 200 V G3
  • 认证标准
    Industrial
OPN
IGC090S20S1XTMA1
产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
PG-TSON-6
封装名 N/A
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 coming soon
英飞凌封装名称
PG-TSON-6
封装名 -
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 200 V e 模式功率晶体管
  • 双面冷却封装
  • 无反向恢复电荷
  • 反向传导能力
  • 低栅极电荷，低输出电荷
  • 符合 JEDEC 要求

产品优势

  • 一流的功率密度
  • 最高效率
  • 改进热管理
  • 实现更小、更轻的设计
  • 卓越的可靠性
  • 降低 BOM 成本

文档

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设计资源

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