现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IGI60L2727B1M

半桥配置的 270 mΩ / 600 V GaN 晶体管,带有集成电平移位栅极驱动器和自举二极管

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IGI60L2727B1M
IGI60L2727B1M

商品详情

  • ID (@25°C) max
    4.8 A
  • IDpuls (@25°C) max
    9 A
  • QG
    1.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    270 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    CoolGaN™ Drive HB 600 V G5
OPN
IGI60L2727B1MXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TFLGA-27
封装名 N/A
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TFLGA-27
封装名 -
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGI60L2727B1M 将由两个 600 V / 270 mΩ(RDS(on) 典型值)CoolGaN ™晶体管组成的半桥功率级与集成电平移位栅极驱动器和自举二极管结合在一个小型 6x8 mm TFLGA-27 封装中。

特性

  • 集成电平移位栅极驱动器
  • 集成自举二极管
  • PWM 输入兼容
  • 宽 VDD 范围(10 至 24 V)
  • 开启和关闭 dv/dt 斜率控制
  • 零 Qrr

产品优势

  • 元件数量减少 4 倍
  • PCB 占用空间减少 2 倍

    在系统层面:
  • 降低成本
  • 减轻重量
  • 降低复杂性

文档

设计资源

开发者社区

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