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符合RoHS标准

IGLT65R110B2

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IGLT65R110B2
IGLT65R110B2

商品详情

  • QG
    1.52 C
  • RDS (on)
    110 mΩ
  • Package
    PG-HDSOP-16
  • ISS puls (@25°C) max
    36 A
  • Green
    RoHS compliant, Halogen free
OPN
IGLT65R110B2AUMA1
产品状态 on request
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 on request
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IGLT65R110B2 是采用 TOLT 封装的 650 V 常关双向功率晶体管,可实现高功率密度设计。CoolGaNTM BDS 650 V G5 可在两个方向上实现高效的电压阻断,使其成为广泛应用的多功能选择,并可实现具有成本吸引力的拓扑结构。

特性

  • 650 V 双向增强型晶体管
  • 公共排水配置
  • 双向阻断能力
  • 低栅极电荷,低输出电荷
  • 集成基板电压控制
  • 符合 JEDEC 要求
  • 在整个温度范围内,RSS(on) 保持稳定。和频率。
  • 更换背靠背开关

产品优势

  • 紧凑的设计
  • 成本效益
  • 低传导损耗
  • 简化设计
  • 上市时间短

文档

设计资源

开发者社区

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