IGW30N65L5
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IGW30N65L5

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IGW30N65L5
IGW30N65L5

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.35 mJ
  • Eon
    0.47 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    62 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    85 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 Ptot
    227 W
  • QGate
    168 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    308 ns
  • td(on)
    33 ns
  • tf
    51 ns
  • tr
    11 ns
  • VCE(sat)
    1.05 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 50 Hz -20 kHz
  • 开关频率 范围
    0.05 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IGW30N65L5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的新型 L5 低饱和电压 (V CE(sat)) TRENCHSTOP ™ IGBT 系列针对 50Hz 至 20kHz 范围内的低开关频率进行了专门优化。通过优化创新的 55µm TRENCHSTOP ™ 5 薄晶圆技术的载体轮廓,可以将传导损耗降低到本质低水平 – 30A IGBT 为 1.05V,75A IGBT 为 1.10V。

特性

  • 最低 VCE(sat) 仅为 1.05 V
  • 低开关损耗:
  • 30 A IGBT 在 25°C 时为 1.6 mJ
  • 高热稳定性
  • Tj 从 25°C 升高至 175°C
文档

设计资源

开发者社区

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