在产
符合RoHS标准
无铅

IGW50N60H3

600 V、50 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGW50N60H3
IGW50N60H3
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.91 mJ
  • Eon
    1.45 mJ
  • IC (@ 100°) max
    50 A
  • IC (@ 25°) max
    100 A
  • ICpuls max
    200 A
  • Ptot max
    333 W
  • QGate
    315 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    235 ns
  • td(on)
    23 ns
  • tf
    24 ns
  • tr
    37 ns
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE max
    600 V
  • Package
    TO-247
  • Switching Frequency
    20 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT HighSpeed 3
受到推崇的
OPN
IGW50N60H3FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO247 封装的高速 600 V、50 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 在开关损耗和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为，从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 低开关损耗
  • 出色的 Vce(sat) 行为
  • 快速开关行为
  • 低 EMI 辐射
  • 优化二极管：
  • 改善开关损耗
  • 低栅极电阻选择。
  • 出色的开关行为 (@>5 Ω)
  • 短路能力 5µs
  • 提供 175°C 的 Tj(max)
  • 包装有免费和无免费两种。二极管

应用

光伏

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }