在产
符合RoHS标准
无铅

IKQ120N60T

600 V、120 A IGBT 分立器件,带反并联二极管,采用 TO-247PLUS 封装
每件.
有存货

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IKQ120N60T
IKQ120N60T
每件.

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    5.9 mJ
  • Eon
    6.2 mJ
  • IC (@ 100°) max
    120 A
  • IC (@ 25° ) max
    160 A
  • ICpuls max
    480 A
  • IF max
    160 A
  • IFpuls max
    480 A
  • Irrm
    26.5 A
  • Ptot max
    833 W
  • QGate
    703 nC
  • Qrr
    3400 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    3 Ω
  • td(off)
    565 ns
  • td(on)
    50 ns
  • tf
    68 ns
  • tr
    75 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • VGE(th)
    4.1 V to 5.7 V
  • 封装
    TO-247PLUS-3
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
OPN
IKQ120N60TXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 PLUS
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PLUS
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO-247PLUS 封装的硬开关 600 V、120 A TRENCHSTOP ™ IGBT 技术,具有更高的电流能力。TO-247PLUS 封装允许在 600 V 下达到 120 A,其外形尺寸与行业标准 TO-247 相同。此外,背面有效导热垫的总面积也得到了增加,以提高封装的散热能力。

特性

  • 最高额定电流共封装
  • 100 A 和 120 A 时 600 V
  • 有效导热垫面积增大 35%
  • Rth(jh) 降低高达 20%
  • 爬电距离延长:
  • 4.25 毫米 – 比 TO-247 大 2 毫米

文档

设计资源

开发者社区

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