现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKW30N65ET7

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKW30N65ET7
IKW30N65ET7
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.47 mJ
  • Eon
    0.49 mJ
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • IC (@ 100°) max
    39.1 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    90 A
  • Irrm
    18.4 A
  • Ptot max
    188 W
  • QGate
    180 nC
  • Qrr
    680 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    265 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    9 ns
  • tr
    7 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • Package
    TO-247-3
  • Switching Frequency
    5 kHz to 40 kHz
  • Technology
    TRENCHSTOP™ IGBT7
受到推崇的
OPN
IKW30N65ET7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 650 V、30 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 分立器件，采用 TO-247 封装，内部带有软 EC7 二极管。该价格性能优化系列具有出色的可控性，可实现更好的 EMI，同时开关损耗低于以前的技术。

特性

  • 极低 VCEsat
  • 低关断损耗
  • 短尾电流
  • 降低 EMI
  • 耐湿设计
  • 非常软的反并联二极管
  • 最高结温 175°C
  • 符合 JEDEC 标准
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准

文档

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