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符合RoHS标准
无铅

IMZC120R007M2H

CoolSiC™系列1200V第二代碳化硅MOSFET分立器件，采用4引脚TO-247高爬电距离封装
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IMZC120R007M2H
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商品详情

  • VDS max
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247-4 high creepage
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMZC120R007M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO-247-4 HC 8.8mm
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO-247-4 HC 8.8mm
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC™ MOSFET 分立器件，1200 V，7 mΩ G2，采用 TO-247 4 引脚封装，具有高爬电距离，在第一代技术的优势基础上进行了重大改进，为更优化、更高效、更易于设计和更可靠的系统提供了先进的解决方案。该器件在硬开关工作模式和软开关拓扑中均实现了性能提升，可适配交直、直直、直交变换环节的各类常见组合应用。

特性

  • RDS(on) = 7 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • 极低开关损耗
  • 更宽的最大值 VGS 范围：-10 V 至 +25 V
  • 过载工作温度最高可达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间：2 µs
  • 基准栅极阈值电压：4.2 V
  • 抗寄生导通干扰能力强
  • .XT 互连技术
  • 更严格的 VGS(th) 参数分布

产品优势

  • 更高的热量效率
  • 冷却优化
  • 高功率密度
  • 全新稳健性特点
  • 高度可靠
  • 易于并联

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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