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停产
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符合RoHS标准
无铅

IPA65R1K5CE

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封装
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IPA65R1K5CE
IPA65R1K5CE
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    5.2 A
  • ID max
    5.2 A
  • IDpuls max
    8.3 A
  • Ptot max
    30 W
  • Qgd
    5.8 nC
  • QG
    10.5 nC
  • QG (typ @10V)
    10.5 nC
  • RDS (on) max
    1500 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1500 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    4.2 K/W
  • Rth
    4.2 K/W
  • Tj
    -40 °C to 150 °C
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.33
OPN
IPA65R1K5CEXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CoolMOS™ CE 适用于硬开关和软开关应用。作为现代 SJ MOSFET，它具有低导通和开关损耗，可提高效率并最终降低功耗。 600V、650V 和 700V CoolMOS ™ CE 结合了最佳 R DS(on) 和封装，适用于手机和平板电脑的低功率充电器。

特性

  • 典型值与最大值 RDS(on) 之间的裕度较小
  • 输出电容中存储的能量 (Eoss) 减少
  • 体二极管具有良好的耐用性，反向恢复电荷 (Qrr) 减少
  • 优化的集成 Rg

产品优势

  • 低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 适用于硬开关和软开关
  • 易于控制的开关行为
  • 提高效率并随之降低功耗
  • 减少设计工作量
  • 易于使用

文档

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设计资源

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开发者社区

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