IPB019N08N5

IPB019N08N5

业界领先的功率 MOSFET 技术，适用于电信和服务器应用，采用 OptiMOS ™ 5 80V、D2PAK 7pin 封装
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB019N08N5
IPB019N08N5
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    180 A
  • 最高 IDpuls
    720 A
  • 最高 Ptot
    224 W
  • QG (typ @10V)
    99 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.95 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    7 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.87

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 80V 工业功率 MOSFET IPB019N08N5 与前几代产品相比，RDS(on) 降低了 43%，非常适合高开关频率。该系列器件专为电信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，它们还可用于其他工业应用，如太阳能、低压驱动器和适配器。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比，Rds(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区