现货，推荐
符合RoHS标准

IPB022N12NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET，正常电平 120 V，采用 D²PAK 3 引脚封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPB022N12NM6
IPB022N12NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    167 A
  • IDpuls max
    668 A
  • QG (typ @10V)
    113 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.2 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.64
推荐的
OPN
IPB022N12NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
这是 D²PAK 3 针封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 2.2 mOhm。IPB022N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性

  • 与 OptiMOS ™相比，该技术特点如下：
  • RDS(on) 提高高达 40%
  • FOMg
  • Qrr 提高高达 50%

产品优势

  • 极低的导通电阻
  • 极低的反向恢复电荷
  • 出色的栅极电荷 x RDS(on)
  • 高雪崩能量额定值
  • 175°C 结温额定值
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • MSL1 级别

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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