现货，推荐
符合RoHS标准

IPB044N15N5

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封装
评估板
每件.
有存货

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IPB044N15N5
IPB044N15N5
每件.
数据手册

商品详情

  • Ciss
    6000 pF
  • Coss
    1500 pF
  • ID (@25°C) max
    174 A
  • IDpuls max
    696 A
  • Ptot max
    300 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    80 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.4 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.5 K/W
  • Rth
    0.3 K/W
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    7 Pins
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    72-96 V
  • 预算价格€/1k
    2.12
推荐的
OPN
IPB044N15N5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 150 V 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动滑板车等低压驱动装置以及电信和太阳能应用，在不影响 FOM gd 和 FOM OSS 的情况下，突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个最佳替代方案相比，降低了高达 25%）和 Q rr，从而有效减少了设计工作量，同时优化了系统效率。

特性

  • 坚固的 FOMgd 和 FOMoss，具有较低的 RDS(on)
  • 较低的输出电荷
  • 超低反向恢复电荷
  • 提高换向坚固性
  • 可实现更高的开关频率

产品优势

  • 减少并联
  • 更高功率密度的设计
  • 更坚固的产品
  • 降低系统成本
  • 改善 EMI 行为

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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