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停产
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符合RoHS标准

IPB049N08N5

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业界领先的功率 MOSFET 技术，适用于电信和服务器应用，采用 OptiMOS ™ 5 80V，采用 D2PAK 封装
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封装

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IPB049N08N5
IPB049N08N5
数据手册

商品详情

  • Ciss
    2900 pF
  • Coss
    490 pF
  • ID (@25°C) max
    80 A
  • IDpuls max
    320 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    4.9 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Rth
    1.2 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    36-48 V
  • 预算价格€/1k
    0.76
OPN
IPB049N08N5ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 5 80V 工业功率 MOSFET IPB049N08N5 与前几代产品相比，RDS(on) 降低了 43%，非常适合高开关频率。该系列器件专为电信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，它们还可用于其他工业应用，如太阳能、低压驱动器和适配器。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 电容减少高达 44%
  • 与上一代产品相比，Rds(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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