IPB175N20NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB175N20NM6

200 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET，采用 D²PAK 3脚封装
数据手册
封装

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IPB175N20NM6
IPB175N20NM6
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    61 A
  • 最高 IDpuls
    244 A
  • QG (typ @10V)
    31 nC
  • QG
    31 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    17.5 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    17.5 mΩ
  • 最高 VDS
    200 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    3.7 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
IPB175N20NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
IPB175N20NM6 采用 200 V OptiMOS™ 6 技术的先进设计，与传统 IR MOSFET™ 产品相比，可达到无与伦比的效率和功率密度。

特性

  1. 200 V 下业界最低的 RDS(on)
  2. 200 V 下业界最低的 Qrr
  3. 与上一代产品相比，RDS(on) 降低高达 42％
  4. 与上一代产品相比，Qrr(typ) 降低高达 89%
  5. 与上一代产品相比，FOM 降低 36%
  6. >比上一代二极管软 3 倍
  7. 改善电容线性度
  8. 与上一代相比，SOA 有所改进
  9. Vgs(th) 的精确分布范围为 +/-750 mV
  10. 高雪崩强度
  11. 最大 Tj 为 175°C 并且 MSL1

产品优势

  1. 低导通损耗和开关损耗
  2. 运行稳定，EMI 得到改善
  3. 并联时实现更好均流
  4. 增强的稳健性
  5. 系统可靠性更高
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