IPC171N04N

数据手册

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IPC171N04N
IPC171N04N
数据手册

商品详情

  • EAS/雪崩能量
    898 mJ
  • RDS (on)
    1.1 mΩ
  • VBRDSS max
    40 V
  • VDS
    40 V
  • VGS(th)
    2.1 V to 4 V
  • 厚度
    205
  • 技术
    OptiMOS™ 3
  • 模式
    Enhancement
  • 芯片尺寸 (X)
    2.95 mm
  • 芯片尺寸 (Y)
    5.9 mm
  • 芯片尺寸 (Area)
    17.4 mm²
  • 输出驱动器
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌最新一代功率 MOSFET —— OptiMOS ™ 40V 和 60V 针对服务器和台式机等开关电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。此外，这些设备是广泛工业应用的完美选择，包括电机控制、电信、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 与其他器件相比，R DS(on) 降低了 15%
  • 与同类器件相比，FOM 提高了 31%
  • 集成肖特基类二极管

产品优势

  • 最高的系统效率
  • 更少的并联需求
  • 更高的功率密度
  • 降低系统成本
  • 极低的电压过冲

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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